[发明专利]一种红外焦平面阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种红外焦平面阵列，其特征在于，包括：

图形衬底（200）；

Ⅳ族材料外延层（300），生长于所述图形衬底（200）上；

钝化层（400），覆盖于所述Ⅳ族材料外延层（300）上，且设有第一电极孔和第二电极孔；

第一电极（10），设置于所述第一电极孔内，与所述图形衬底（200）相连接；

第二电极（20），设置于所述第二电极孔内，与所述Ⅳ族材料外延层（300）相连接；

抗氧化层（500），覆盖于所述钝化层（400）上，且设有通孔；

互联金属层（600），设置于所述通孔内。

2.根据权利要求1所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述图形衬底（200）的第一表面（210）上制备有预设图形；

所述预设图形包括满足预设深宽比的条状图形。

3.根据权利要求1所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述Ⅳ族材料外延层（300）包括至少一个像元凸起（310）和至少一个电极凸起（320）；

所述像元凸起（310）之间通过所述图形衬底（200）连接，所述电极凸起（320）之间通过所述图形衬底（200）连接，所述像元凸起（310）和所述电极凸起（320）之间通过所述图形衬底（200）连接。

4.根据权利要求3所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述第二电极孔开设于每一个所述像元凸起（310）上。

5.根据权利要求3所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述第一电极（10）覆盖所有电极凸起（320）。

6.根据权利要求3所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述通孔设置于每一个所述像元凸起（310）和每一个所述电极凸起（320）上。

7.根据权利要求1所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述互联金属层（600）和所述第一电极（10）、所述第二电极（20）相连接。

8.根据权利要求2所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述Ⅳ族材料外延层（300）生长于所述第一表面（210）上。

9.根据权利要求2所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述第一电极（10）不与所述预设图形相接触。

10.一种红外焦平面阵列制备方法，其特征在于，适用于如权利要求1-9任一项所述的红外焦平面阵列，所述方法包括：

在衬底上制备带有预设图形的掩膜层，刻蚀后清洗掉所述掩膜层，得到图形衬底（200）；

在所述图形衬底（200）上制备Ⅳ族材料外延层（300）；

刻蚀带有Ⅳ族材料外延层（300）的图形衬底（200），得到具有至少一个像元凸起（310）和至少一个电极凸起（320）的Ⅳ族材料外延层（300）；

在所述Ⅳ族材料外延层（300）上制备钝化层（400）；

在所述钝化层（400）上制备第一电极孔和第二电极孔；

在所述钝化层（400）上制备第一电极（10）和第二电极（20）；

在所述钝化层（400）上制备抗氧化层（500）；

在所述抗氧化层（500）上以光刻胶为掩膜刻蚀得到通孔；

在所述通孔内制作互联金属层（600）。