[发明专利]剔除坏点及自对准喷印的μLED全彩显示制造方法与设备有效
| 申请号： | 202111311125.2 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114193937B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 黄永安;孙宁宁;段永青;尹周平 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B41J2/21 | 分类号： | B41J2/21;B41J3/407;B41M5/00;H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 孔娜 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体相关技术领域，其公开了一种剔除坏点及自对准喷印的μLED全彩显示制造方法与设备，该方法包括以下步骤：(1)将微型发光二极管(即μLED)阵列巨量转移到目标基板上且坏点未被转移；(2)电流体喷印头与单个微型发光二极管之间形成电场，并向对应的微型发光二极管喷印对应颜色的量子点溶液，进而实现微型发光二极管的全彩显示。本发明通过接通驱动电路使得UV‑μLED充当释放胶层的作用源从而实现转移，而未接通的坏点由于未产生紫外而将存留在胶层上，实现剔除坏点功能；同时，电流体喷印设备的喷头与单个芯片电极之间形成电场以实现自对准，解决了现有技术中巨量转移工艺复杂及全彩化像素分辨率限制、像素对准困难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 剔除 对准 led 全彩 显示 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
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