[发明专利]集成电路的制造方法及集成电路在审
| 申请号： | 202111306984.2 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114171465A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 姚国亮;张邵华;吴建兴 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249;H01L21/762;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种集成电路的制造方法及集成电路，包括：在衬底上通过离子注入形成N型埋层；在所述N型埋层上形成外延层；在所述外延层中形成有源区和无源区；在所述无源区中形成多个场氧化层；在所述外延层中形成多个低压N型阱和多个低压P型阱；在所述低压N型阱、所述低压P型阱和所述场氧化层上形成多个栅极结构；形成多个深槽隔离结构，所述深槽隔离结构贯穿所述外延层、所述N型埋层并延伸至所述衬底中。本申请的集成电路的制造方法及集成电路，通过采用后道深槽隔离结构的工艺，减小集成电路的闩锁效应，从而提高集成电路的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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