[发明专利]抛光垫及其制备方法以及使用其的半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202111303514.0 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114434318A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 许惠暎;徐章源;安宰仁;尹钟旭 | 申请（专利权）人： | SKC索密思株式会社 |
| 主分类号： | B24B37/20 | 分类号： | B24B37/20;B24B37/24;H01L21/306;B29C44/02;B29C44/34;B29C44/38;B29C69/00;B29C69/02;B29K433/04;B29L7/00 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 洪玉姬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种抛光垫及其制备方法，其中，其能够维持在抛光工序中所需的抛光性能，如抛光速度、抛光轮廓，且能够最小化在抛光工序中发生在晶片中的缺陷，即使同时抛光不同材料的膜也能够将其抛光成具有同等水平的平坦度；在CMP工序中适用抛光垫时，无需直接进行抛光测试，即可通过抛光垫的物性值来区分抛光垫，以控制最佳抛光选择率以及抛光工序的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 及其 制备 方法 以及 使用 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SKC索密思株式会社，未经SKC索密思株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111303514.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
