[发明专利]抛光垫及其制备方法以及使用其的半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202111303514.0 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114434318A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 许惠暎;徐章源;安宰仁;尹钟旭 | 申请（专利权）人： | SKC索密思株式会社 |
| 主分类号： | B24B37/20 | 分类号： | B24B37/20;B24B37/24;H01L21/306;B29C44/02;B29C44/34;B29C44/38;B29C69/00;B29C69/02;B29K433/04;B29L7/00 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 洪玉姬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抛光 及其 制备 方法 以及 使用 半导体器件 制造 | ||
1.一种抛光垫，其中，
具有抛光层，
根据下述第一式的值是0.6至1.2，
第一式：
所述H是所述抛光层的抛光面的表面硬度，
所述M是所述抛光层的弹性模量，
所述E是所述抛光层的延伸率。
2.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，
所述抛光层的根据下述第二式的值是0.6至1.2，
第二式：
其中，
H、M以及E与上述权利要求1中的相同。
3.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，
所述抛光层的根据下述第三式的值是1至1.7，
第三式：
其中，
M和E与上述权利要求1中的相同。
4.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，
所述抛光层的根据下述第四式的值是1至1.7，
第四式：
其中，
M和H与上述权利要求1中的相同。
5.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，
所述抛光垫对氧化膜和氮化膜的抛光选择率是25至40。
6.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，
在所述抛光垫中，测量目标膜因抛光工序中偏离平坦度的程度而导致的凹陷的绝对值是1至
7.一种抛光垫的制备方法，其中，
包括：
第一步骤，制备氨基甲酸乙酯基预聚物，
第二步骤，制备包含所述氨基甲酸乙酯基预聚物、发泡剂以及固化剂的抛光层制备用组合物，以及
第三步骤，通过固化所述抛光层制备用组合物来制备抛光层；
所述抛光层的根据下述第一式的值是0.6至1.2，
第一式：
所述H是所述抛光层的抛光面的表面硬度，
所述M是所述抛光层的弹性模量，
所述E是所述抛光层的延伸率。
8.根据权利要求7所述的抛光垫的制备方法，其中，
所述抛光层的根据下述第三式的值是1至1.7，
第三式：
其中，
M和E与上述权利要求7中的相同。
9.一种半导体器件的制造方法，其中，
包括：
第一步骤，提供包括抛光层的抛光垫，以及
第二步骤，进行相对旋转，使所述抛光层的抛光面和半导体基板的被抛光面相接触，同时抛光所述半导体基板；
所述抛光层的根据下述第一式的值是0.6至1.2，
第一式：
所述H是所述抛光层的抛光面的表面硬度，
所述M是所述抛光层的弹性模量，
所述E是所述抛光层的延伸率。
10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述抛光层的根据下述第三式的值是1至1.7，
第三式：
其中，
M和E与上述权利要求9中的相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SKC索密思株式会社，未经SKC索密思株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111303514.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
