[发明专利]用于反熔丝电路中的隔离保护电路结构在审
| 申请号： | 202111285955.2 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN113972905A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 马金龙;赵桂林;曹靓;蔺旭辉;隽扬;杨霄垒;孙杰杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 叶昕;杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种反熔丝电路中的隔离保护电路结构，属于微电子领域，包括PMOS管P3和P4、NMOS管N2和N3、反相器INV2；反相器INV2的输入端输入控制信号，输出端连接PMOS管P4和NMOS管N3的控制栅；PMOS管P4的漏端连接低压电路节点；PMOS管P3的控制栅连接高压电路节点，漏端连接低压电路节点；NMOS管N2的控制栅连接高压电路节点，漏端接低压电路节点，源端接NMOS管N3的漏端，NMOS管N3的控制栅接反相器INV2的输出端，源端接逻辑电路工作地GNDA。在反熔丝器件编程期间，控制信号为逻辑“高”，该隔离保护电路结构能够将低压电路与编程反熔丝器件用的高压电路隔离开来；在正常工作模式下，控制信号为逻辑“低”，能够实现逻辑信号的正常传输，保护了低压逻辑电路免遭高电压的击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 反熔丝 电路 中的 隔离 保护 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所，未经中国电子科技集团公司第五十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111285955.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
