[发明专利]用于反熔丝电路中的隔离保护电路结构在审
| 申请号： | 202111285955.2 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN113972905A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 马金龙;赵桂林;曹靓;蔺旭辉;隽扬;杨霄垒;孙杰杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 叶昕;杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 反熔丝 电路 中的 隔离 保护 结构 | ||
1.一种反熔丝电路中的隔离保护电路结构，与低压电路连接，所述低压电路包括反相器INV1和PMOS管P2，反相器INV1的输入端接PMOS管P2的控制栅，输出端接PMOS管P2的漏端，
其特征在于，所述隔离保护电路结构包括PMOS管P3和P4、NMOS管N2和N3、反相器INV2；
所述反相器INV2的输入端输入控制信号，输出端连接PMOS管P4的控制栅和NMOS管N3的控制栅；PMOS管P4的漏端连接第一电路节点JD5；PMOS管P3的控制栅连接第二电路节点JD4，漏端连接第一电路节点JD5；
NMOS管N2的控制栅连接第二电路节点JD4，漏端接第一电路节点JD5，源端接NMOS管N3的漏端，NMOS管N3的控制栅接所述反相器INV2的输出端，源端接逻辑电路工作地GNDA。
2.如权利要求1所述的反熔丝电路中的隔离保护电路结构，其特征在于，所述PMOS管P3和P4的源端均接逻辑电路工作电源VCCA。
3.如权利要求1所述的反熔丝电路中的隔离保护电路结构，其特征在于，所述反相器INV1的输入端连接第一电路节点JD5。
4.一种用于反熔丝电路中的隔离保护电路结构，与低压电路连接，所述低压电路包括反相器INV1和PMOS管P2，反相器INV1的输入端接PMOS管P2的控制栅，输出端接PMOS管P2的漏端，
其特征在于，所述隔离保护电路结构包括PMOS管P5、NMOS管N4、反相器INV3；
所述反相器INV3的输入端输入控制信号，输出端连接NMOS管N4的源端；
PMOS管P5的控制栅连接第二电路节点JD7，源端连接逻辑电路工作电源VCCA，漏端连接第一电路节点JD8；
NMOS管N4的控制栅连接第二电路节点JD7，源端连接反相器INV3的输出端，漏端连接第一电路节点JD8。
5.如权利要求4所述的用于反熔丝电路中的隔离保护电路结构，其特征在于，所述反相器INV1的输入端连接第一电路节点JD8。
6.一种反熔丝电路中的隔离保护电路结构，与低压电路连接，所述低压电路包括反相器INV1和PMOS管P2，反相器INV1的输入端接PMOS管P2的控制栅，输出端接PMOS管P2的漏端，
其特征在于，所述隔离保护电路结构包括PMOS管P6和P7、NMOS管N5、反相器INV4和INV5；
反相器INV4的输入端输入控制信号，输出端连接NMOS管N5的源原和反相器INV5的输入端；反相器INV5的输出端连接PMOS管P7的控制栅；
PMOS管P6的控制栅连接到第二电路节点JD10，源端连接逻辑电路工作电源VCCA，漏端连接到第一电路节点JD11；
NMOS管N5的控制栅连接第二电路节点JD10，源端连接反相器INV4的输出端和反相器INV5的输入端，漏端连接到第一电路节点JD11；
PMOS管P7的控制栅连接反相器INV5的输出端，源端连接逻辑电路工作电源VCCA，漏端连接到第一电路节点JD11。
7.如权利要求6所述的用于反熔丝电路中的隔离保护电路结构，其特征在于，所述反相器INV1的输入端连接第一电路节点JD11。
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