[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202111281567.7 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114512492A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 王彦哲 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吕世磊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体器件。存储器栅极经由作为存储器元件的栅极绝缘体的绝缘膜形成在半导体衬底上。绝缘膜包括第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、在第二绝缘膜上的第三绝缘膜和在第三绝缘膜上的第四绝缘膜。第二绝缘膜是具有电荷累积功能的绝缘膜。第一绝缘膜和第三绝缘膜中的每个的带隙大于第二绝缘膜的带隙。第三绝缘膜由包含金属元素和氧的高介电常数材料形成。第四绝缘膜是氧化硅膜或氮氧化硅膜并且与存储器栅极电极相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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