[发明专利]半导体器件的短接通道、制造方法以及电性测试方法在审
| 申请号： | 202111281384.5 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114171482A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 徐家胤;林万建 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/495;H01L21/60;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 甄丹凤 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件的短接通道、制造方法以及电性测试方法，所述短接通道为连续的线形导电通道，包括：多个焊点，所述多个焊点与半导体器件中具有相同电位的多个焊盘一一对应；以及导线，连接于相邻焊点之间。本公开提供的半导体器件的电性测试方法，通过将具有相同电位的焊盘短接，并将短接的焊盘连接于同一个测试通道进行电性测试，以减少测试通道，从而实现同时进行不同种类的电性测试。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 接通 制造 方法 以及 测试 | ||
【主权项】：
暂无信息
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