[发明专利]具有真空隔热层的MEMS微热板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111279740.X 申请日: 2021-10-29
公开(公告)号: CN113998663A 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 朱敏杰;刘帅;杜晓辉;王洲;刘丹 申请(专利权)人: 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王文思
地址: 100055 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种具有真空隔热层的MEMS微热板及其制备方法,该MEMS微热板包括:硅基底;在硅基底表面通过SON工艺形成的真空隔热层;形成于硅基底及真空隔热层上的绝缘层;形成于绝缘层上且位于真空隔热层正上方的加热电极和测试电极;沿真空隔热层外围依次刻蚀绝缘层和硅基底形成的具有悬空梁支撑结构的加热平台;以及刻蚀或腐蚀绝缘层于加热平台正下方区域形成的隔热槽。利用本公开,通过采用SON工艺能够使隔热层处于真空状态,形成真空隔热层,该真空隔热层相较于空气隔热在抑制加热平台热量散失方面更具优势,能够有效降低微热板工作时向外界的热传导,从而降低热量损失,进而提升微热板的温度均匀性。
搜索关键词: 具有 真空 隔热层 mems 微热板 及其 制备 方法
【主权项】:
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