[发明专利]一种IGBT产品的氧化工艺方法及氧化后IGBT产品有效
| 申请号： | 202111277572.0 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114005753B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘如征;葛洪磊;蒋玉贵;潘振雨;柏伟东 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/02;H01L29/739 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 白文佳 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种IGBT产品的氧化工艺方法及氧化后IGBT产品，该工艺方法包括IGBT产品放片、炉管的后处理以及假片的后处理；IGBT产品放片包括将IGBT产品与假片交替设置；炉管的后处理包括采用DCE气体处理炉管；当采用DCE气体处理时，DCE气体的流量为0.2～0.5SLM，处理温度为1000～1100℃，维持时间为1～2h；假片的后处理包括假片表面氧化层的去除、清洗以及生长新的氧化层。该氧化工艺方法通过对氧化工艺中产品隔槽放置、假片的后处理以及氧化设备腔室DCE处理有效消除杂质影响，可有效控制杂质对氧化工艺过程的影响，该工艺氧化后IGBT产品的膜厚均匀性基线小于2％，显著改善了氧化工艺的膜厚均匀性，提高了产品的一致性与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 产品 氧化 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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