[发明专利]势垒增强同型异质结II类超晶格长/长波双色红外探测器

摘要

本发明提供一种势垒增强同型异质结II类超晶格长/长波双色红外探测器，包括：在衬底上依次外延生长的缓冲层、P型第一欧姆接触层，P型第一长波吸收层、P型空穴势垒层、P型第二长波吸收层、P型第二欧姆接触层；P型第一长波吸收层以及P型第二长波吸收层分别与P型空穴势垒层形成同型掺杂异质结。本发明公开的结构通过偏压调制实现了在长波段的双色探测功能，结构简单；通过同型掺杂异质结和单势垒结构的引入，相较于传统NPPN结构的双色探测器，大幅降低了长波吸收区中的空间电场，有效抑制了吸收区中的产生‑复合暗电流和隧穿暗电流，提高了器件的信噪比和探测率。