[发明专利]一种高质量二维或准二维层状钙钛矿单晶材料及其制备

摘要

本发明属于二维钙钛矿单晶材料领域，公开了一种高质量二维或准二维层状钙钛矿单晶材料及其制备，其通式为(L)2(A)n‑1BnX3n+1，其中，L为正丙基胺根离子(C3H7NH3+)、异丙基胺根离子(C3H7NH3+)、正丁基胺根离子(C4H9NH3+)、正戊基胺根离子(C5H11NH3+)、正己基胺根离子(C6H13NH3+)、苯甲基胺根离子(C6H5CH2NH3+)、苯乙基胺根离子(C6H5CH2CH2NH3+)中的至少一种。本发明通过对二维或准二维钙钛矿单晶材料的内部组成及细节结构进行改进，引入特定的L这一有机间隔离子，能够大大扩充ABX3型钙钛矿材料中A位离子的种类选择范围，克服容忍因子t的限制，大大丰富有机‑无机杂化钙钛矿材料的种类。