[发明专利]基于埋栅结构的多沟道GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202111270972.9 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113990947A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 周弘;张超群;张进成;刘志宏;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于埋栅结构的多沟道GaN基高电子迁移率晶体管，主要解决现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅控能力弱，线性度差，输出电流小的问题，其自下而上包括衬底、缓冲层、GaN基异质结层、GaN帽层、钝化层，GaN基多沟道异质结层及GaN帽层的两侧为源漏极，源漏之间为栅极，每个异质结由本征GaN层(31)、AlN插入层(32)、势垒层(33)堆叠组成，栅极包括多个埋栅(81)和位于钝化层上方的金属场板(82)，每个埋栅贯穿GaN异质结沟道层、GaN帽层及钝化层，上端与金属场板连接，构成多个三栅极结构。本发明提高了晶体管的栅控能力、线性度及输出电流，可用作大功率微波射频器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 结构 沟道 gan 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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