[发明专利]基于脉冲式单一离子束的基片清洁工艺在审
| 申请号： | 202111261894.6 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN114005734A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 徐均琪;张威 | 申请（专利权）人： | 江苏奥普钛克光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 扬州邗诚专利代理事务所(普通合伙) 32469 | 代理人： | 吴淑芳 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于脉冲式单一离子束的基片清洁工艺，包括如下步骤：步骤一：将惰性气体输入真空环境下的电离室中将气体从原子状态转变为高能离子状态；步骤二：通过引出栅极将高能离子束无间断连续引出到放电室外，高能离子从电离室上的喷射口喷出至基片表面，可以实现样品或零件表面原子级去除。在本发明中，离子束基片清洗后镀膜会使薄膜的微观结构发生变化，高能量清洗条件下，可以使成膜结构更加紧密，使薄膜表面粗糙度降低，其Ra值从未清洗前的0.78nm下降到0.60nm；基片经离子束清洗后镀膜得到的薄膜样品的激光损伤阈值较未清洗前均有所提高，高能量清洗条件下，薄膜的激光损伤阈值最高，为8.1J/cm2，较未清洗前提高了3.8倍左右。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 脉冲 单一 离子束 清洁 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏奥普钛克光电科技有限公司，未经江苏奥普钛克光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111261894.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种毫米波云雷达软件遥控测量系统
- 下一篇：一种高效洗涤催化剂膜分离成套设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
