[发明专利]一种一步成型Split Gate MOSFET的制备方法有效

专利信息
申请号: 202111252359.4 申请日: 2021-10-26
公开(公告)号: CN114709174B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 杨科;袁力鹏;苏毅;常虹 申请(专利权)人: 华羿微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/8234 分类号: H01L21/8234
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 党娟娟;郭永丽
地址: 710018 陕西省西安市未央区*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种一步成型Split Gate MOSFET的制备方法,涉及半导体功率器件技术领域。用于解决现有的MOSFET器件制备为了避免在外围terminal trench的liner oxide上有gate poly残留,存在增加制备步骤导致制备成本增加的问题。包括:在第一沟槽内和第二沟槽内依次形成liner Oxide层和source poly层;所述第二沟槽的顶部两侧、第一个沟槽的顶部以及第一沟槽的顶部两侧形成第二光刻胶层,通过刻蚀方法对所述第二沟槽内的所述source poly层、liner Oxide层进行刻蚀;将所述第二光刻胶层去取,通过刻蚀方法对所述liner Oxide层进行刻蚀;在第二沟槽内、所述第二沟槽的顶部两侧、所述第一沟槽的顶部以及所述第一沟槽的顶部两侧形成gate oxide层和gate poly层。
搜索关键词: 一种 一步 成型 split gate mosfet 制备 方法
【主权项】:
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