[发明专利]一种低增益三维插入式SiC探测器芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低增益三维插入式SiC探测器芯片及其制备方法，包括：SiC衬底层；SiC衬底层中按预设布局垂直插设有N型欧姆接触层和P型欧姆接触层，SiC衬底层、P型欧姆接触层和N型欧姆接触层的上表面平齐；P型欧姆接触层的侧面与SiC衬底层之间设有增益层，SiC衬底层的顶部设有钝化层，P型欧姆接触层的顶部设有第一电极，N型欧姆接触层的顶部设有第二电极，第二电极与第一电极的极性相反。相较于传统的SiC探测器，本发明的SiC探测器可以增加响应信号，有效解决由于SiC本身较高的电子空穴电离能而导致的信号较小问题；同时，本发明的SiC探测器放大信号的强度远高于噪声，可以有效提高探测器的信噪比。