[发明专利]一种低增益三维插入式SiC探测器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202111248022.6 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN113990968A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 史欣;谭雨航;王聪聪;杨涛;张希媛;刘凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0312 | 分类号： | H01L31/0312;H01L31/0224;H01L31/102;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 林聪源 |
| 地址： | 100049 北京市石景*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增益 三维 插入 sic 探测器 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种低增益三维插入式SiC探测器芯片，其特征在于，包括：SiC衬底层；
所述SiC衬底层中按预设布局垂直插设有N型欧姆接触层和P型欧姆接触层，所述SiC衬底层、P型欧姆接触层和N型欧姆接触层的上表面平齐；
所述P型欧姆接触层的侧面与所述SiC衬底层之间设有增益层，所述SiC衬底层的顶部设有钝化层，所述P型欧姆接触层的顶部设有第一电极，所述N型欧姆接触层的顶部设有第二电极，所述第二电极与所述第一电极的极性相反。
2.如权利要求1所述的低增益三维插入式SiC探测器芯片，其特征在于，所述SiC衬底层为N型或者P型掺杂的SiC半导体衬底层。
3.如权利要求1所述的低增益三维插入式SiC探测器芯片，其特征在于，所述N型欧姆接触层为三维柱状结构的N型欧姆接触层。
4.如权利要求3所述的低增益三维插入式SiC探测器芯片，其特征在于，所述N型欧姆接触层为N型重掺杂SiC半导体材料，以实现N型欧姆接触和载流子传输。
5.如权利要求1所述的低增益三维插入式SiC探测器芯片，其特征在于，所述P型欧姆接触层为三维柱状结构的P型欧姆接触层。
6.如权利要求5所述的低增益三维插入式SiC探测器芯片，其特征在于，所述P型欧姆接触层为P型重掺杂SiC半导体材料，以实现P型欧姆接触和载流子传输。
7.如权利要求1所述的低增益三维插入式SiC探测器芯片，其特征在于，所述增益层为三维结构的N型掺杂SiC半导体材料。
8.如权利要求1～7中任一项所述的低增益三维插入式SiC探测器芯片，其特征在于，所述P型欧姆接触层或N型欧姆接触层贯穿或不贯穿所述SiC衬底层。
9.如权利要求1～7中任一项所述的低增益三维插入式SiC探测器芯片，其特征在于，SiC激光器的探测面的欧姆接触层分布包括方形对称矩阵分布和六角形对称矩阵分布中的一种。
10.一种如权利要求1～9中任一项所述的低增益三维插入式SiC探测器芯片的制备方法，其特征在于，包括：
SiC外延片清洗干燥；
制作增益层；
制作P型欧姆接触层；
制作N型欧姆接触层；
制作第一电极；
制作第二电极；
制作钝化层和压焊点；
划片及封装。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
