[发明专利]铜铟镓硒薄膜的制备方法、光电器件的制备方法在审
| 申请号： | 202111244638.6 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN114005740A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 赵晨晨;李伟民;祁同庆;王伟;张琛;周鸿飞;冯叶;李文杰;马明;杨春雷 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院;中国科学院深圳理工大学（筹） |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L31/032;H01L31/18;C23C14/54;C23C14/24;C23C14/06 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，包括步骤：S10、将基底加热至第一温度，在基底上共蒸铟、镓和硒；S20、提高基底的温度至第二温度，在基底上共蒸铜和硒；S30、保持基底的温度为第二温度，在基底上共蒸铟、镓和硒，获得铜铟镓硒薄膜；其中，步骤S10中硒的蒸气压为步骤S30中硒的蒸气压的4～8倍，步骤S20中硒的蒸气压为步骤S10中硒的蒸气压的2～8倍；步骤S10中铟和镓的蒸气压为步骤S30中铟和镓的蒸气压的4～8倍。本发明在三步共蒸发法制备铜铟镓硒薄膜的过程中，通过调控各个共蒸步骤的硒的蒸气压，可以使得共蒸设备的反应腔室的薄膜生长环境更加稳定从而有利于高质量薄膜的生长，并且还可以避免硒源的浪费从而能够更加准确地控制固态硒源的耗尽时间。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒 薄膜 制备 方法 光电 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
