[发明专利]一种阵列基板及其制造方法在审
申请号: | 202111242858.5 | 申请日: | 2021-10-25 |
公开(公告)号: | CN113838874A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 陈伟;陈鑫;朱书纬;潜垚;李澈 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041;G02F1/1362 |
代理公司: | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人: | 戴雨君 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法,包括Array侧基板玻璃,Array侧基板玻璃上依次设有MetalⅠ金属层、栅极绝缘层、有缘层、刻蚀阻挡层、MetalⅡ金属层,MetalⅡ金属层上沉积有第一保护层ITO,第一保护层ITO上依次设有绝缘层Ⅰ、有机平坦层、MetalⅢ触控金属层,有机平坦层以及MetalⅢ触控金属层沉积有第二保护层ITO,第二保护层ITO上依次设有带有VA孔的绝缘层Ⅱ、公共电极层ITO、带有CH孔的绝缘层Ⅲ以及像素电极层ITO,公共电极层ITO通过VA孔与MetalⅢ触控金属层搭接,像素电极层ITO通过CH孔与MetalⅡ金属层搭接。本发明在现有的阵列基板设计基础之上,在MetalⅡ金属层和MetalⅢ触控金属层表面形成一道ITO,既可作为下层金属的保护层,又不影响像素电极与金属层的正常搭接。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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