[发明专利]一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用在审
| 申请号： | 202111240173.7 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN114014257A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 段国韬;张征;张彦林;吕国梁 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;G01N27/12 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 祝丹晴 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用，包括：S1、在硅晶圆基片上表面沉积绝缘材料，得到悬臂支撑层；S2、在悬臂支撑层表面晶圆级沉积金属形成加热电极；S3、在加热电极表面晶圆级沉积绝缘层；S4、在绝缘层表面晶圆级制备腐蚀窗口和测试电极；S5、在测试电极表面晶圆级沉积粘结层；S6、在粘结层表面整体制备气敏薄膜；S7、在腐蚀窗口处通入腐蚀液，对气敏薄膜所在区域下方的硅晶圆基片进行湿法腐蚀后，得到气体传感器晶圆；S8、对气体传感器晶圆进行划片处理，得到硅基MEMS气体传感器芯片；其中，粘结层与气敏薄膜的材料相同。本发明所得的气体传感器芯片兼具高稳定和高灵敏等优良气敏性能，实现了硅基气体敏感薄膜的兼容制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 气体 传感器 芯片 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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