[发明专利]存储器单元、电容存储器结构及其方法在审
| 申请号： | 202111239931.3 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN114446986A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | P·波拉科夫斯基;S·F·穆勒 | 申请（专利权）人： | 铁电存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L23/522;H01L27/11573;H01L27/11575 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 王珺;卜晨 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据各个方面，提供了一种存储器单元，该存储器单元包括：第一电极；第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的存储器结构，第一电极、第二电极和存储器结构形成存储器电容器，其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括：包括具有第一微结构的第一材料的第一电极层；与第一电极层直接接触的功能层；以及与功能层直接接触的第二电极层，第二电极层包括具有不同于第一微结构的第二微结构的第二材料。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 电容 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
