[发明专利]导通状态阻抗降低的常闭型晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202111239582.5 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN114005879A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | F·尤克拉诺;A·帕蒂 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 闫昊 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及导通状态阻抗降低的常闭型晶体管及其制造方法。其中，一种常闭型电子器件，包括：半导体本体(15)，包括在缓冲层(11)之上延伸的异质结构(7)；凹陷栅电极(14)，在与平面(XY)正交的方向(Z)上延伸；第一工作电极(16)和第二工作电极(18)，位于栅电极(14)的对应侧处；以及有源区(15a)，在导通状态下容纳用于使电流在第一和第二工作电极之间流动的导电路径。电阻区域(6)至少部分地在缓冲层中的有源区中延伸，并且被设计为在器件处于截止状态下阻碍电流在第一和第二工作电极之间流动。栅电极(14)在半导体本体(15)中延伸到至少等于由电阻区域达到的最大深度的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 状态 阻抗 降低 常闭型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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