[发明专利]增强型氮化镓功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111235786.1 | 申请日： | 2021-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN114038909A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;金玉丰 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L27/085;H01L21/8252;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 刘燚 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了增强型氮化镓功率器件及其制备方法，该增强型氮化镓功率器件包括衬底、缓冲层、势垒层，势垒层包括设于缓冲层上相互隔离的第一子势垒层和第二子势垒层；第一源极、第一漏极和第一栅极，第二源极、第二漏极和第二栅极，从而形成高压耗尽型GaN HEMT和低压增强型GaN HEMT并级联形成cascode结构。以低压增强型GaN凹栅HEMT代替Si MOSFET，从而可以在器件上同时实现HV GaN MIS‑HEMT和LV GaN MIS‑FET，采用D‑mode高压GaN MIS‑HEMT保持漏端高压，E‑mode低压GaN FET驱动栅端，降低了寄生效应，提高了性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 氮化 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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