[发明专利]掩埋异质结器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111232392.0 | 申请日： | 2021-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN113991419A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 马钰;李媛媛;李伟江;梁平;胡颖;刘俊岐;王利军;张锦川;刘舒曼;卓宁;翟慎强;刘峰奇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/0235;H01S5/20;H01S5/22;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊晓 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了掩埋异质结器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长第一掺杂层、有源层、第二掺杂层、第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层上制作填充窗口；将该窗口腐蚀至第一掺杂层上表面，形成沟槽并填充掩埋材料；通过腐蚀形成辅助脊；第一掺杂层和辅助脊上生长第二二氧化硅层；通过腐蚀在第二二氧化硅层上制备发光脊；在发光脊和辅助脊上分别制作沉积金属窗口；在该窗口内生长欧姆接触并制作第一正面金属电极；经处理之后，在衬底底部制作背面金属电极，解理处理后，得到芯片本体；在第一热沉材料表面制作第二正面金属电极；将芯片本体倒置烧结到第一热沉材料上；将带有芯片本体的第一热沉材料烧结到第二热沉材料上，得到掩埋异质结器件。 | ||
| 搜索关键词： | 掩埋 异质结 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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