[发明专利]一种异质外延单晶金刚石复制生长方法在审
| 申请号： | 202111228647.6 | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN114016128A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 魏强;林芳;张晓凡;陈根强;王宏兴 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/04;C23C14/18;C23C14/35;C23C16/02;C23C16/27;C23C16/511 |
| 代理公司： | 西安维赛恩专利代理事务所(普通合伙) 61257 | 代理人： | 李明全 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质外延单晶金刚石复制生长方法，在第一异质外延衬底上制备晶向为(001)的第一Ir膜层；在第一Ir膜层的第一表面制备出(001)方向的第一外延金刚石核；使第一外延金刚石核外延生长，在第一Ir膜层的第一表面上形成(001)方向的第一单晶金刚石，得到第二外延衬底；清洗第二外延衬底，得到Ir/Dianomd衬底；在第一Ir膜层的第二表面上制备第二外延金刚石核；使第二外延金刚石核在MP‑CVD中生长，得到第二单晶金刚石；本发明中衬底以及生长层均为单晶金刚石，具有相同的热膨胀系数，利用异质外延单晶金刚石作为衬底，可以提高二次生长的单晶金刚石的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 金刚石 复制 生长 方法 | ||
【主权项】：
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