[发明专利]一种基于钙钛矿雪崩管的高灵敏度探测结构及制备方法在审
申请号: | 202111208207.4 | 申请日: | 2021-10-18 |
公开(公告)号: | CN113889548A | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 雷威;周建明;朱莹 | 申请(专利权)人: | 苏州亿现电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215134 江苏省苏州市相城区经济技术开发区澄*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基于钙钛矿雪崩管的高灵敏度探测结构及制备方法,涉及高灵敏度X射线/γ射线探测领域,本发明包括以下部分:采用厚度大于1厘米的本征钙钛矿晶体作为X射线/γ射线光子吸收体,利用钙钛矿晶体的高吸收系数,获得较高的X射线/γ射线光子吸收转换效率,利用本征钙钛矿晶体的高电阻率,减小探测器暗电流,在本征晶体上顺序生长空间电荷层、宽带隙钙钛矿倍增层和窄带隙钙钛矿倍增层,对光生电子空穴对雪崩倍增,获得高增益探测信号,与常规采用闪烁体的间接雪崩探测器件相比较,它避免了将X射线/γ射线光子转换为可见光子的过程,因此可以具有更高的探测量子效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 钙钛矿 雪崩 灵敏度 探测 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州亿现电子科技有限公司,未经苏州亿现电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111208207.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的