[发明专利]能降低米勒电容的功率半导体器件及制备方法在审
| 申请号： | 202111207125.8 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN113644125A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 张广银;吴凯;杨飞;朱阳军 | 申请（专利权）人： | 芯长征微电子制造（山东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 264300 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能降低米勒电容的功率半导体器件及制备方法。其包括半导体衬底以及设置于所述半导体衬底中心区的元胞区；所述元胞区内包括若干并联分布的元胞，且元胞采用沟槽结构；在所述功率半导体器件的截面上，元胞包括元胞沟槽、制备于所述元胞沟槽内下部的槽底厚氧层以及支撑于所述槽底厚氧层上的槽内厚氧柱，槽内厚氧柱的顶端位于元胞沟槽槽口的下方；在元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅支撑在槽底厚氧层上且包覆槽内厚氧柱，栅极导电多晶硅通过栅氧化层与元胞沟槽的侧壁绝缘隔离，栅氧化层与槽底厚氧层接触。本发明能降低米勒电容，提高器件的可靠性，与现有工艺兼容，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 米勒 电容 功率 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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