[发明专利]可编程光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111200744.4 | 申请日： | 2021-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN113948594A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 孙翊淋;丁英涛;李明杰;刘志方;陈志铭 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/113;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市中闻律师事务所 11388 | 代理人： | 冯梦洪 |
| 地址： | 100081 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开一种可编程光电探测器及其制备方法，利用强铁电局域极化电场对其上表面的双极性半导体分别进行P型或N型掺杂，形成PN结型光电探测器，同时结合铁电极化的非挥发存储特性，PN结的极性可通过施加不同的栅极电压实现可编程操作，从而实现高效、多功能、快速的光电探测。这种可编程光电探测器，其从下至上包括：衬底(1)、背栅电极a(2)、背栅电极b(3)、无机铁电层(4)、二维半导体沟道(5)以及源漏电极(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
