[发明专利]一种基于量子点超晶格和二维材料复合的光电探测器在审
申请号: | 202111195026.2 | 申请日: | 2021-10-11 |
公开(公告)号: | CN113990971A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 刘宵;李京波 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0336;H01L31/113 |
代理公司: | 北京市盈科律师事务所 11344 | 代理人: | 李憲璋 |
地址: | 517000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种基于量子点超晶格和二维材料复合的光电探测器。该光电探测器自下而上依次包括:衬底;金属电极层,包括源电极和漏电极,源电极和漏电极之间形成沟道;光敏层,其包括设置在所述沟道上的二维材料上方的量子点超晶格。二维材料与量子点超晶格形成异质结,源电极和漏电极被配置为使电流能够通过光敏层,量子点超晶格被配置为在暴露于入射电磁辐射时产生电子‑空穴对以产生可检测的变化电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 量子 晶格 二维 材料 复合 光电 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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