[发明专利]一种忆阻器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111192931.2 | 申请日： | 2021-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN114038995A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 葛军;马泽霖;曹栩诚;陈莞君;刁山青;潘书生 | 申请（专利权）人： | 广州大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梅素丽 |
| 地址： | 510006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括从上到下依次设置的顶电极、阻变层及底电极，所述底电极为含硅衬底，所述阻变层为含硅衬底表面形成的天然氧化层。本发明中的忆阻器采用天然氧化层作为阻变层，天然氧化层是由空气自然氧化形成，具有厚度薄、与含硅衬底之间几乎完美的接触界面、表面原子级别光滑、无需人工制备、成本低、与互补金属氧化物半导体工艺兼容等优势，克服了本领域普遍认为的含硅衬底表面的天然氧化层不利于忆阻器性能的技术偏见。此外，本发明中的忆阻器同时具有优异的数据保持能力、高稳定性、模拟开关特性三种性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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