[发明专利]一种忆阻器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111192931.2 | 申请日： | 2021-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN114038995A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 葛军;马泽霖;曹栩诚;陈莞君;刁山青;潘书生 | 申请（专利权）人： | 广州大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梅素丽 |
| 地址： | 510006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种忆阻器，其特征在于：包括从上到下依次设置的顶电极、阻变层及底电极，所述底电极为含硅衬底，所述阻变层为含硅衬底表面形成的天然氧化层。
2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于：所述天然氧化层为氧化硅。
3.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于：所述天然氧化层为SiOx，x为0.6～0.8。
4.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于：所述天然氧化层的厚度为0.1～4nm。
5.根据权利要求1至4任一项所述的忆阻器，其特征在于：所述顶电极为贵金属电极层。
6.根据权利要求5所述的忆阻器，其特征在于：所述贵金属电极层为金银复合电极层。
7.根据权利要求6所述的忆阻器，其特征在于：所述金银复合电极层中金和银的质量比为：1：(0.01～1)。
8.根据权利要求6所述的忆阻器，其特征在于：所述金银复合电极层包括银纳米团簇和金包覆层，银纳米团簇位于金包覆层内。
9.权利要求1至8任一项所述的忆阻器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
在含硅衬底的表面形成天然氧化层；
将贵金属电极层的贵金属材料热蒸发到天然氧化层上，制得所述忆阻器。
10.权利要求1至8任一项所述的忆阻器在存储器或类脑计算芯片中的应用。
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