[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111189657.3 | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115966606A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 吴旭升;李彦儒 | 申请（专利权）人： | 广州集成电路技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 车大莹;郭伟刚 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括：衬底，包括至少一个鳍结构，鳍结构包括源极/漏极区，源极/漏极区包括第一应变层和形成于第一应变层上方的第二应变层；以及至少一个栅极堆叠件，形成在衬底上方。本发明提供的半导体器件，通过在衬底上方增设第一应变层以增加鳍结构底部所受到的应力；同时，为了产生更多的应力，第一应变层采用易于鳍结构底部延伸的菱形，因而避免了现有技术中应变力分布不均匀，并且迁移率在整个鳍片之间分布不平衡的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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