[发明专利]一种半导体击穿测试装置及方法在审
| 申请号： | 202111178760.8 | 申请日： | 2021-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN113608087A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 张文臣 | 申请（专利权）人： | 深圳市赛元微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京专赢专利代理有限公司 11797 | 代理人： | 陈进 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新区南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体生产相关领域，提供了一种半导体击穿测试装置及方法，包括传送带、扫描识别设备、测试机构和变流机构。传送带将半导体持续输送到扫描识别设备以及测试机构所在的位置，扫描识别设备对半导体的型号和引脚数量进行识别，控制测试机构对不同型号的半导体进行测试，兼容性较好，并且连续自动测试提高工作效率；变流机构使得通入测试机构和半导体中的电流逐渐增大，能够精准捕捉到击穿半导体的极限最大电流值，使得测试准确性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 击穿 测试 装置 方法 | ||
【主权项】：
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