[发明专利]带腔体器件的气密封装结构和制造方法在审

专利信息
申请号: 202111175740.5 申请日: 2021-10-09
公开(公告)号: CN113830724A 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 丁希聪;凌方舟;储莉玲;蒋乐跃 申请(专利权)人: 美新半导体(无锡)有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 代理人: 庞聪雅
地址: 214000 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种带腔体器件的气密封装结构和制造方法,带腔体器件的气密封装结构包括:半导体部件;盖板;键合层,其位于半导体部件和盖板之间;第一腔体,其位于半导体部件和盖板之间且被部分密封;第二腔体,其位于半导体部件和盖板之间且被部分密封;若干第一通孔,其贯穿盖板至第一腔体;若干第二通孔,其贯穿盖板至第二腔体;第一密封层,其设置于盖板远离所述半导体部件的一侧表面,以密封所述若干第一通孔;第二密封层,其设置于所述第一密封层远离所述盖板的一侧表面,以密封所述若干第二通孔。与现有技术相比,本发明可以为带腔体器件提供更高的真空度,且不同芯片气压的均匀度好,进而提高带腔体器件的性能,改善良率。
搜索关键词: 带腔体 器件 气密 封装 结构 制造 方法
【主权项】:
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