[发明专利]带腔体器件的气密封装结构和制造方法

权利要求书

1.一种带腔体器件的气密封装结构，其特征在于，其包括：

半导体部件；

盖板；

键合层，其位于所述半导体部件和盖板之间，以将所述半导体部件和盖板键合在一起；

第一腔体，其位于所述半导体部件和盖板之间，且被所述键合层围绕并被部分密封；

第二腔体，其位于所述半导体部件和盖板之间，且所述第二腔体位于所述第一腔体的一侧，所述第二腔体被所述键合层围绕并被部分密封；

若干第一通孔，其贯穿所述盖板至第一腔体；

若干第二通孔，其贯穿所述盖板至第二腔体；

第一密封层，其设置于所述盖板远离所述半导体部件的一侧表面，以密封所述若干第一通孔，使所述第一腔体完全密封；

第二密封层，其设置于所述第一密封层远离所述盖板的一侧表面，以密封所述若干第二通孔，使所述第二腔体完全密封。

2.根据权利要求1所述的带腔体器件的气密封装结构，其特征在于，

完全密封的所述第一腔体内的气压和完全密封的所述第二腔体内的气压不同；和/或

完全密封的所述第一腔体内的气体成分和完全密封的所述第二腔体内的气体成分不同；和/或

所述第一腔体内的第一微机电系统器件和所述第二腔体内的第二微机电系统器件不同。

3.根据权利要求1所述的带腔体器件的气密封装结构，其特征在于，

所述盖板还包括形成于所述盖板的第一表面的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽沿所述盖板的第一表面间隔排布；

所述半导体部件还包括位于所述半导体部件的第一表面的第一微机电系统器件和第二微机电系统器件，所述第一微机电系统器件和第二微机电系统器件沿所述半导体部件的第一表面间隔排布；

所述第一凹槽与所述第一微机电系统器件所在区域的所述半导体部件的第一表面扣合，以形成第一腔体，所述第一微机电系统器件收容于所述第一腔体内；所述第二凹槽与所述第二微机电系统器件所在区域的所述半导体部件的第一表面扣合，以形成第二腔体，所述第二微机电系统器件收容于所述第二腔体内。

4.根据权利要求3所述的带腔体器件的气密封装结构，其特征在于，

收容于所述第一腔体内的第一微机电系统器件为陀螺仪；

收容于所述第二腔体内的第二微机电系统器件为加速度计。

5.根据权利要求1-4任一所述的带腔体器件的气密封装结构，其特征在于，

所述第一密封层是在第一封装环境下沉积于所述盖板上的，其用于密封所述若干第一通孔，使所述第一腔体完全密封；

所述第二密封层是在第二封装环境下沉积于所述第一密封层上的，其用于密封所述若干第二通孔，使所述第二腔体完全密封；

通过调整第一封装环境的气体气压和气体成分来调整完全密封的所述第一腔体的气体气压和气体成分；通过调整第二封装环境的气体气压和气体成分来调整完全密封的所述第二腔体的气体气压和气体成分。

6.根据权利要求5所述的带腔体器件的气密封装结构，其特征在于，

所述第一密封层为第一氧化硅薄膜；

所第二密封层为第二氧化硅薄膜。

7.根据权利要求6所述的带腔体器件的气密封装结构，其特征在于，

采用等离子体增强化学气相沉积法形成第一氧化硅薄膜；

采用常压化学气相淀积工艺形成第二氧化硅薄膜。