[发明专利]一种MWT异质结太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202111170112.8 | 申请日: | 2021-10-08 |
公开(公告)号: | CN114068765A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 钱洪强;张树德;符欣 | 申请(专利权)人: | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/0747 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 翟超 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种MWT异质结太阳能电池,包括N型晶硅硅片,所述N型晶硅硅片的正面和反面分别设有本征非晶硅钝化层;在所述本征非晶硅钝化层远离所述N型晶硅硅片的表面设有在N型非晶硅层或P型非晶硅层;在所述N型非晶硅层或P型非晶硅层上沉积有TCO透明导电膜层;背面有孔洞和背面金属电极;每个孔洞对应的金属电极点附近通过掩膜形成有连续闭合的隔离沟道,所述隔离沟道贯穿于TCO透明导电膜层和P型非晶硅层。本发明通过在异质结电池的制程中使用掩膜方法进行背面电学隔离,低成本的实现MWT和异质结的结合。 | ||
搜索关键词: | 一种 mwt 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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