[发明专利]射频开关器件及其制造方法在审
申请号: | 202111168228.8 | 申请日: | 2021-09-29 |
公开(公告)号: | CN113921520A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 许曙明;樊航 | 申请(专利权)人: | 力来托半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092 |
代理公司: | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人: | 董琳 |
地址: | 200000 上海市自由贸*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开一种增强型射频开关及其制备方法。本申请提供的一种增强型射频开关器件,从衬底的上表面射频开关器件包括以第一掺杂浓度水平掺杂有第一导电类型的杂质的半导体衬底,以及从衬底的上表面垂直延伸并与所述衬底相连形成的台面。所述台面包括以第二掺杂浓度水平掺杂有第一导电类型的杂质的漂移区,第二掺杂浓度水平小于第一掺杂浓度水平。所述台面形成射频开关器件中的主要电流传导路径。所述射频开关元件还包括绝缘层,设置在衬底的至少一部分上表面和台面的侧壁上,以及设置在绝缘层上表面的至少一部分上的至少一个栅极,栅极至少部分围绕台面。 | ||
搜索关键词: | 射频 开关 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的