[发明专利]氮化物薄膜结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111153828.7 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN115881864A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 尹越;林学春;刘志强;梁萌;伊晓燕;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊晓 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物薄膜结构，包括：石英衬底(1)；二硫化钨缓冲层(2)，与石英衬底(1)通过范德华力相互结合；氮化物薄膜层(3)，设置于二硫化钨缓冲层(2)上；以及器件结构层(4)，设置于氮化物薄膜层(3)上。采用与氮化物材料晶格十分匹配的极性材料二硫化钨作为缓冲层，促进氮化物外延层的合并，并对其取向进行诱导。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 薄膜 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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