[发明专利]一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路有效
| 申请号： | 202111153240.1 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113839653B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张华;范斌涛;王婷;魏春燕;陈相吾;刘锋;马岩浩;王璞 | 申请（专利权）人： | 国网陕西省电力有限公司电力科学研究院;国网（西安）环保技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081;H03K17/687 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 项磊 |
| 地址： | 710000 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路，涉及保护电路领域，包括控制模块、PWM输出缓冲电路、驱动电路以及过流和短路保护电路，所述PWM输出缓冲电路与过流和短路保护电路都与控制模块连接，且PWM输出缓冲电路与过流和短路保护电路的输出都连接驱动电路的输入，所述驱动电路与过流和短路保护电路都与SiC MOSFET连接，通过在SiC MOSFET的源极串接电阻检测电流,将电流信号转为电压信号，使用LM211比较器与预定值进行比较，将比较信号经过光耦隔离输出后，直接接入SiC MOSFET驱动芯片的使能端，直接在SiC MOSFET驱动芯片侧进行保护，同时使用另一个光耦隔离输出接入主控模块的硬件保护中断引脚，双重保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硬件 器件 保护 sic mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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