[发明专利]一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路

权利要求书

1.一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于，包括控制模块、PWM输出缓冲电路、驱动电路以及过流和短路保护电路，所述PWM输出缓冲电路与过流和短路保护电路都与控制模块连接，且PWM输出缓冲电路与过流和短路保护电路的输出都连接驱动电路的输入，所述驱动电路与过流和短路保护电路都与SiC MOSFET连接；

所述PWM输出缓冲电路包括收发器，收发器的B2~B7引脚连接6路PWM信号DPWM1~DPWM6，收发器的使能引脚OE接地，方向控制引脚接地，收发器的输出引脚A2~A7分别连接至驱动电路；

所述驱动电路包括两个IGBT驱动器，IGBT驱动器的1号引脚和4号引脚为信号输入侧电源正极和对应接地端， 2号引脚和3号引脚分别为驱动器同向输入和驱动器反向输入，3号引脚为使能引脚，5号引脚和8号引脚分别为隔离电源的地端和正端，6号引脚为有源米勒钳位引脚，接SiC MOSFET的栅极，7号引脚为驱动信号输出；

还包括两个SiC MOSFET，第一IGBT 驱动器U2连接第一SiC MOSFET 的栅极，第二IGBT驱动器U3连接第二SiC MOSFET 的栅极，第一SiC MOSFET 的源级连接第二SiC MOSFET 的漏极；

所述过流和短路保护电路包括功率放大器和比较器，功率放大器的正极输入接SiCMOSFET的源极,功率放大器的输出接第一光耦合器U5和第二光耦合器U6，且功率放大器的正极输入端和DC_BUS-端直接连接有采样电阻R9，比较器的正极输入接第二SiC MOSFET 的源级，比较器的输出接第一光耦合器U5 和第二光耦合器U6 输入，第一光耦合器U5 的4 号引脚接第一IGBT 驱动器和第二IGBT 驱动器的3 号引脚，第二光耦合器U6 的3 号引脚接控制模块的故障引脚PDPINT。

2.根据权利要求1所述的一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：所述控制模块采用型号为TMS320F2812的DSP控制芯片，所述收发器的型号为74LVC4245APW，所述IGBT驱动器的型号为1EDC20I12MH。

3.根据权利要求1所述的一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：所述收发器的B2~B7引脚连接的6路PWM信号DPWM1~ DPWM6都设有下拉电阻，所述下拉电阻的阻值都为2kΩ。

4.根据权利要求1所述的一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：所述两个IGBT驱动器的输出端分别连接有栅极驱动电阻一R7和栅极驱动电阻二R8，所述栅极驱动电阻一R7和栅极驱动电阻二R8的阻值都为10Ω。

5.根据权利要求1所述的一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：所述采样电阻R9的阻值为3MΩ。