[发明专利]NAND闪存器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种NAND闪存器件件及其制造方法。NAND闪存器件的制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成浮栅材料层，所述浮栅材料层包括依次形成在所述衬底上的含碳元素的下层部和不含碳元素的上层部；在所述浮栅材料层上形成控制栅材料层；以及，依次刻蚀所述控制栅材料层和所述浮栅材料层，以分别形成控制栅层和浮栅层。本发明通过在浮栅材料层底端的一段位置中掺杂碳元素，将浮栅材料层分为含碳元素的下层部和不含碳元素的上层部，使得对下层部的刻蚀速率较低，从而避免了浮栅层底端出现尖锐边角，增大底端形貌垂直度，从而降低NAND闪存器件中串扰发生机率，提高产品可靠性。