[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 202111141900.4 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113871467B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 吴勐;郭昊鑫;杨旭;孙传帮;麻建国 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/417;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/44;H01L21/329;H01L21/34 |
| 代理公司： | 吉林新发惠利知识产权代理事务所(普通合伙) 22216 | 代理人： | 纪尚 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法，所述二极管包括：衬底；制作于所述衬底一侧的外延层；制作于所述外延层一侧的P型保护环；制作于所述外延层一侧的氧化层，从器件边缘延伸到引线窗口边缘位置；制作于所述引线窗口一侧的势垒金属；制作于所述氧化层和势垒金属上的多层金属结构一，从P型保护环外侧向内侧覆盖；制作于所述多层金属结构一外侧的多层金属结构二，从多层金属结构一外层向内侧覆盖，中心区域露出多层金属结构一窗口；制作于所述多层金属结构二外侧钝化薄膜，从多层金属结构二外层向内覆盖，止于向内侧100um距离，本发明的肖特基二极管能够解决贴片烧结封装的肖特基二极管存在的PCT、金属迁移和焊料偏移导致的失效风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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