[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 202111141900.4 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113871467B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 吴勐;郭昊鑫;杨旭;孙传帮;麻建国 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/417;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/44;H01L21/329;H01L21/34 |
| 代理公司： | 吉林新发惠利知识产权代理事务所(普通合伙) 22216 | 代理人： | 纪尚 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种肖特基二极管及其制造方法，其特征在于，所述二极管包括：
衬底；
制作于所述衬底一侧的外延层；
制作于所述外延层一侧的P型保护环；
制作于所述外延层一侧的氧化层，从器件边缘延伸到引线窗口边缘位置；
制作于所述引线窗口一侧的势垒金属；
制作于所述氧化层和势垒金属上的多层金属结构一，从P型保护环外侧向内侧覆盖；
制作于所述多层金属结构一外侧的多层金属结构二，从多层金属结构一外层向内侧覆盖，中心区域露出多层金属结构一窗口；
制作于所述多层金属结构二外侧钝化薄膜，从多层金属结构二外层向内覆盖，止于向内侧100um距离。
2.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管及其制造方法，其特征在于，所述外延层和衬底从上到下分别为N-和N+结构，N-结构电阻率依据产品电压范围确定。
3.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管及其制造方法，其特征在于，所述多层金属结构二中心腐蚀露出多层金属结构一。
4.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管及其制造方法，其特征在于，所述多层金属结构一在本结构中外层金属为金属银。
5.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管及其制造方法，其特征在于，所述多层金属结构二分为内层金属和外层金属，在本结构中外层金属为金属铝，内层金属用来黏附多层金属结构一。
6.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管及其制造方法，其特征在于，所述钝化薄膜选用氮化硅。
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