[发明专利]TVS芯片及其生产方法有效
| 申请号： | 202111139076.9 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN114038900B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 汪良恩;李建利;汪曦凌 | 申请（专利权）人： | 安徽芯旭半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 | 代理人： | 翟丽红 |
| 地址： | 247100 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TVS芯片及其生产方法，涉及半导体领域。本发明通过硅衬底清洗后进行氧化，形成氧化膜；氧化膜表面涂覆光刻胶，采用光刻的方式将需要扩散的区域氧化膜去除，形成开沟区；将开沟后的硅衬底放入腐蚀液，形成浅沟；去光刻胶，对硅衬底进行清洗；硅衬底表面附扩散源，浅沟内被扩散，形成外层深结层；去除氧化膜，并清洗硅衬底；硅衬底表面区域附上扩散源，所有区域被扩散，形成内层浅结层。本发明因为两次扩散形成了两个PN结层，外层的深结可以保护内层的浅结，从而有效加强PN结保护和降低晶格缺陷污染的能力，降低漏电流。同时，通过浅沟对扩散源进行定位，能方便后续操作，方便生产。 | ||
| 搜索关键词： | tvs 芯片 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
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