[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111121722.9 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113889433A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 周璐;张权;姚兰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次沉积绝缘层和停止层，其中，衬底包括高压器件区域和非高压器件区域，绝缘层位于高压器件区域上方的厚度大于对应于非高压器件区域的厚度；在衬底的高压器件区域和非高压器件区域上方分别形成贯穿停止层和绝缘层的多个第一凹槽和多个第二凹槽；对第一凹槽上方的部分停止层进行刻蚀，使第一凹槽在远离衬底一侧的开口宽度大于靠近衬底一侧的开口宽度；以及进一步刻蚀多个第一凹槽和多个第二凹槽的底部使第一凹槽和第二凹槽的深度延伸入衬底的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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