[发明专利]存储器件的制作方法在审
| 申请号： | 202111115386.7 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113823566A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 龚风丛;曹开玮 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/788;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的存储器件的制作方法，包括：提供衬底；在衬底上形成栅极绝缘层和接触窗口；形成浮栅材料层；刻蚀浮栅材料层；执行氧化工艺，使浮栅材料层位于第一漏区一侧超出第一接触窗口的部分被氧化，以及浮栅材料层位于第二漏区一侧超出第二接触窗口的部分被氧化，形成侧墙氧化层；去除侧墙氧化层以及位于浮栅材料层覆盖范围以外的栅极绝缘层。如此一来，在接触窗口的靠近漏区一侧，衬底与半浮栅之间不再保留部分栅极绝缘层，半浮栅晶体管在工作时，降低了载流子进入半浮栅的势垒，降低了载流子被二氧化硅/硅界面缺陷捕获的风险，有助于提高载流子进入半浮栅的速度以及半浮栅晶体管的编程速度，提高了存储器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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