[发明专利]半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法在审
| 申请号： | 202111108880.0 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN114694698A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 金基兴;车相彦;金俊亨;朴晟喆;丁孝镇;河庆洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/18;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王凯霞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码(ECC)电路、故障地址寄存器和控制逻辑电路。所述存储单元阵列包括多个存储单元行。所述清理控制电路基于用于刷新所述存储单元行的刷新行地址生成用于对第一存储单元行执行清理操作的清理地址。所述控制逻辑电路控制所述ECC电路，使得所述ECC电路在第一间隔期间对所述第一存储单元行中的多个子页面执行错误检测及纠正操作以对错误发生数量计数，并且基于所述第一存储单元行中的所述错误发生数量确定在所述清理操作中的第二间隔中的子操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 操作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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