[发明专利]一种超结RB-IGBT器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202111098226.6 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113725282A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 吴玉舟;刘铁川;李欣;李菲;禹久赢 | 申请（专利权）人： | 上海超致半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 梁剑 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超结RB‑IGBT器件结构及其制造方法，包括：金属化集电极层；P型集电区，所述P型集电区位于所述金属化集电极层的上方；第一N型外延层，所述第一N型外延层位于P型集电区的上方；第二N型外延层，所述第二N型外延层位于第一N型外延层的上方；所述第一N型外延层中通过高能离子注入形成有P型埋层，且第一N型外延层中与P型埋层间隔设置有P柱，所述P柱通过深槽刻蚀和回填工艺形成。根据本发明，具有承受反向耐压的能力，通过P型集电区设计可采取多种优化结构，提升超结RB‑IGBT器件的电学性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rb igbt 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海超致半导体科技有限公司，未经上海超致半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111098226.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
