[发明专利]一种NOR闪存的制作方法、电路以及其应用在审
| 申请号： | 202111092602.0 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN113809005A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 任军;徐培;吕向东;盛荣华;李政达 | 申请（专利权）人： | 恒烁半导体（合肥）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538;H01L27/11521;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 合肥陆纬知识产权代理事务所(普通合伙) 34218 | 代理人： | 袁浩 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥市庐阳区天*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种NOR闪存的制作方法、电路以及其应用，所述方法包括以制备有闪存单元和三层金属层的Nor闪存电路的晶圆为基础，在第三金属层上覆盖制备与其连通的第四金属层，本发明兼容现有工艺,可以满足具有更复杂的功能的Nor闪存芯片的金属布线需要,为布置更多铝垫来满足先进封装压焊的需求提供了可行性的前提条件，具有切实意义上的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nor 闪存 制作方法 电路 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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